1.主要研究内容： 

　　1）晶体生长数值模拟 

　　2）晶体缺陷表征与分析 

　　3）晶体辐照损伤机制研究 

　　2.主要研究成果： 

　　采用自主研制的热交换坩埚下降法晶体生长技术，发展了热场多温区独立调控、原位退火、生长界面实时控制等技术，解决氟化钙晶体开裂、散射、小角度晶界、滑移面等多个关键技术难题。在晶体制备技术、原料处理等方面具有自主知识产权，研制的晶体内透过率（T>99.8%/cm@193nm）、应力双折射（<1nm/cm）达到国际先进水平，在集成电路先进制造装备获得广泛应用。