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辉光放电质谱和光谱
1. 射频辉光放电质谱仪
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仪器型号:Autoconcept GD 90 | |
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生产厂家：英国MSI | |
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负责人：曾旺 | |
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联系地址：嘉定区和硕路585号E-112 | |
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联系电话：69163596 | |
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手机号码：18800297325 | |
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邮件地址：zengwang@mail.sic.ac.cn | |
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主要技术指标 |
1.可测元素范围：元素周期表中除氢（H）外的所有元素，包括常用分析方法难以测定的C，N，O，P，S等轻元素 2.最低检出限：优于100ppt 3.分辨率：优于4000 |
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仪器主要用途 |
适用于高纯金属、溅射靶材、稀贵金属、超级合金等材料的痕量杂质元素的半定量和定量分析；可直接分析半导体材料、非导体材料等；可对复合材料、镀层、薄膜等进行逐层分析(溅射速率约为：0.38μm/min)等 |
2. 射频辉光放电质谱仪
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仪器型号: GD 90 Trace | |
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生产厂家：英国MSI | |
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负责人：刘安琦 | |
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联系地址：嘉定区和硕路585号E-111 | |
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联系电话：021-69163595 | |
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手机号码：13462125313 | |
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邮件地址：liuanqi@mail.sic.ac.cn | |
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主要技术指标 |
1.可测元素范围：元素周期表中除氢（H）外的所有元素，包括常用分析方法难以测定的C，N，O，P，S等轻元素 2.最低检出限：优于100ppt 3.分辨率：优于4000 |
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仪器主要用途 |
适用于高纯金属、溅射靶材、超级合金、半导体材料、非导体材料等的痕量元素的半定量和定量分析；可对复合材料、镀层、薄膜等进行逐层分析(深度分辨率优于0.50 μm) |
3. 辉光放电光谱仪
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仪器型号:GD-Profiler 2 | |
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生产厂家：HORIBA | |
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负责人：曾旺 | |
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联系地址：嘉定区和硕路585号E-114 | |
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联系电话：69163596 | |
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手机号码：18800297325 | |
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邮件地址：zengwang@mail.sic.ac.cn | |
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主要技术指标 |
1.可测元素范围：从H元素到U元素（包括C、H、O、N等气体元素）； 2.溅射速率：1-5 m/min； 3.深度分辨率：1 nm； 4.采样范围：2/4 mm 3.分辨率：优于4000 |
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仪器主要用途 |
适用于探究镀层/薄膜/涂层样品（包括导体、半导体、非导体）中元素的含量以及元素随深度的分布情况 |
4. 辉光放电质谱仪
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仪器型号:VG9000 | |
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生产厂家：英国Thermo Elemental | |
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负责人：曾旺 | |
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联系地址：嘉定区和硕路585号E-111 | |
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联系电话：69163596 | |
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手机号码：18800297325 | |
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邮件地址：zengwang@mail.sic.ac.cn | |
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主要技术指标 |
1.可测元素范围：元素周期表中除氢（H）外的所有元素，包括常用分析方法难以测定的C，N，O，P，S等轻元素 2.检测浓度范围：超低检测限，大多数元素的检测限为0.1～0.001 g G-1 3.分析速度：快速，一次可给出多量、少量、痕量以及超痕量多元素分析结果 4.激发源：最大功率≥30W；最大激发电压≥50kV，最大激发电流≥1mA |
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仪器主要用途 |
适用于高纯金属、溅射靶材、稀贵金属、超级合金等材料的痕量杂质的半定量和定量分析，同时可分析C、N、O等轻元素；半导体材料包括硅片、CdTe、GaAs及其他多种高纯电子材料、无机非金属材料的杂质分析；薄层分析，深度分布剖面分析等 |
