1月28日上午，2025年度中国科学院杰出科技成就奖颁奖仪式在京举行。中国科学院上海硅酸盐研究所“塑性无机半导体”成果荣获2025年度中国科学院杰出科技成就奖基础研究奖。

该成果主要完成人为史迅、陈立东、仇鹏飞、杨世琪、高治强。研究团队针对无机半导体本征脆性导致无法实现宏观室温塑性的关键科学问题，国际率先发现Ag₂S和InSe单晶在室温具有类似金属的力学性能，压缩、弯曲、拉伸等应变均远大于常规半导体；揭示“多中心、弥散”化学键主导的塑性微观机制，提出塑性因子和变温塑性模型，通过高通量计算筛选出MoS₂等20余种室温塑性无机半导体；引领开展塑性与热电、铁磁、传感等功能协同调控研究，创制出系列性能优异的颠覆性塑性无机功能材料，研制出超薄柔性热电器件和柔性温度传感阵列等多种变革性器件，部分成果已实现转移转化。相关研究实现了无机半导体的室温塑性“从0到1”的突破，打破了金属与无机非金属材料的传统边界，开辟并引领了塑性无机半导体研究新方向。

塑性无机半导体Ag₂S和InSe单晶

代表性塑性无机半导体的室温延伸率和禁带宽度