基于磁电效应的磁成像阵列传感器--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

基于磁电效应的磁成像阵列传感器

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202011575739.7

申请日期:

2020/12/28

第一发明人:

鲁丽

其他发明人:

焦杰，罗豪甦，狄文宁，梁柱，陈瑞，王宇航

专利授权日期:

20220104