一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202010259005.1

申请日期:

2020/4/3

第一发明人:

史迅

其他发明人:

魏天然，金敏

专利授权日期:

20220712