一种PZT-Pb(Sb1/2Nb1/2)三元系压电陶瓷材料及其制备方法和应用--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种PZT-Pb(Sb1/2Nb1/2)三元系压电陶瓷材料及其制备方法和应用

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202010825952.2

申请日期:

2020/8/17

第一发明人:

李玉臣

其他发明人:

周志勇，梁瑞虹，董显林

专利授权日期:

20221213