一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201810629902.X

申请日期:

第一发明人:

高攀

其他发明人:

忻隽,孔海宽,严成锋,郑燕青,刘学超,施尔畏

专利授权日期:

20201211