基于铌镁酸铅钛酸铅单晶的半导体铁电场效应异质结构及其制备方法和应用--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

基于铌镁酸铅钛酸铅单晶的半导体铁电场效应异质结构及其制备方法和应用

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201610216788.9

申请日期:

第一发明人:

郑仁奎

其他发明人:

陈蕾,李效民

专利授权日期: