高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201610879687.X

申请日期:

第一发明人:

高攀

其他发明人:

严成锋,忻隽,孔海宽,刘学超,施尔畏

专利授权日期: