一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201511026067.3

申请日期:

第一发明人:

田彦锋

其他发明人:

许桂生,刘锦峰,朱秀

专利授权日期: