用于制备大截面钨酸铅晶体的坩埚及晶体生长方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

用于制备大截面钨酸铅晶体的坩埚及晶体生长方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201611219133.3

申请日期:

第一发明人:

陈良

其他发明人:

袁晖,熊巍,周尧

专利授权日期: