一种金属元素Mg掺杂的VO2薄膜及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种金属元素Mg掺杂的VO2薄膜及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201610417173.2

申请日期:

第一发明人:

王盼盼

其他发明人:

章俞之,张云龙,彭明栋,吴岭南,宋力昕

专利授权日期: