磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201610744315.6

申请日期:

第一发明人:

曹逊

其他发明人:

金平实,孙光耀,李荣

专利授权日期: