一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201611000544.3

申请日期:

第一发明人:

曹逊

其他发明人:

金平实,孙光耀,李荣

专利授权日期: