个人简历：

刘学超，现任中国科学院上海硅酸盐研究所人工晶体研究中心主任、空间材料与应用技术课题组组长，空间站高温材料科学实验系统主任设计师。2011年9月入选中国科学院青年创新促进会、2013年11月获上海市青年科技启明星。作为主任设计师负责中国空间站高温材料科学实验系统研制，攻克了低功耗长寿命高效加热技术、批量样品管理技术、X射线实时观察与防护技术、多功能样品盒技术等多项关键技术，成功研制中国空间站高温材料科学实验系统，多项技术指标优于国际空间站同类装置，2022年10月随梦天舱成功发射，目前已进入在轨运行阶段。作为主要成员开发了高质量低缺陷物理气相输运法（PVT）SiC晶体生长、晶体加工、检测表征技术，成套技术成果实现了转移转化。主持设计并研制了高纯SiC晶体生长装置高温化学气相输运（HTCVT）系统，解决了高纯SiC晶体生长关键技术，研制了高性能SiC光导开关器件。现担任全国空间科学及其应用标准技术委员会委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟委员、无机材料学报青年编委、人工晶体学报青年编委等职。

主要研究方向:

1. 空间材料实验装置与空间晶体材料

2. 宽禁带半导体材料与器件

主要科研成果

近年承担主要项目（限5项）：

1. 国家载人航天工程项目“载人空间站高温材料科学实验系统”，2016.1-2023.12

2. 科技部重点研发项目“空间环境中新材料制备原理与特种成形技术”课题四“有机/无机功能材料的空间合成与应用性能研究的研究”，2021.12 - 2025.11

3. 科技部重点研发项目“中低压SiC材料器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”课题一“大尺寸低缺陷低电阻率碳化硅单晶制备技术研究”，2016.7 - 2021.6

4. 上海市科委科技创新行动计划项目“极端尺寸高性能人工晶体及元器件研发与产业化应用”，2020.10 - 2022.9

5. 上海市科委科技创新行动计划项目“高纯SiC晶体制备与离子束剥离研究”，2017.7 - 2020.6

近年代表性论著（限5项）：

1. Ziqiang Hao, Xuechao Liu*, Xinfeng Zhu, Minghui Zhang, Meibo Tang, Xiuhong Pan, Growth and characterization of uniformly distributed triangular single-crystalline hexagonal boron nitride grains on liquid copper surface. Materials Research Express, 2022, 9, 045009-045018

2. Meibo Tang, Xuechao Liu, Minghui Zhang, Xiuhong Pan, Scaling behavior of non-volume-dependent heat capacity in solids, Solid State Communication, 2022, 341, 114581

3. Zhengchao Qi, Tingxiang Xu, Xuechao Liu*, Ding Wang, Effect of impurities and defects on the thermal conductivity of single crystal SiC, Journal of Synthetic Crystal, 2021, 50(5), 816-824

4. Tingxiang Xu, Xuechao Liu*, Shiyi Zhuo, Wei Huang, Pan Gao, Jun Xin, Ewei Shi, Effect of thermal annealing on the defects and electrical properties of semi-insulating 6H-SiC, Journal of Crystal Growth, 2020, 531, 125399

5. Shiyi Zhuo, Xuechao Liu*, Wei Huang, Haikuan Kong, Jun Xin, and Erwei Shi, Photoluminescence properties of N and B codoped fluorescent 4H-SiC and 6H-SiC single crystals. AIP Advances, 2018, 8, 125001

近年授权专利（限5项）：

1. 晶体生长用籽晶下置式装置，专利号：ZL201911109067.8，授权日期：2022年3月29日

2. 一种晶体原位碳化退火装置及方法，专利号：ZL201910641432.3，授权日期：2021年3月16日

3. 一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法，专利号：ZL201810629902.X，授权日期：2020年12月11日

4. 晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法，专利号：ZL201810069412.9，授权日期：2020年10月23日

5. 一种大尺寸电阻率可调的碳化硅晶体生长方法，专利号：ZL201710213529.5，授权日期：2019年6月11日