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朱云洲 项目

学历:博士研究生

电话:021-69906020

电子邮件:yunzhouzhu@mail.sic.ac.cn

通讯地址:上海市嘉定区和硕路588号

邮政编码:201800

个人主页:无

个人简历:

朱云洲,博士,项目正高级工程师,硕士研究生导师,科技部“创新人才推进计划重点领域团队”核心成员。承担特区前沿创新、科学院重点部署、国家自然科学基金、上海市自然科学基金、国家重点研发计划子课题等研究项目,作为科研骨干参与国家自然科学基金联合基金重点项目、973计划子专题、知识创新工程以及高分专项等重大科研项目。在国内外发表学术论文21篇,申请专利22项。

主要研究方向

1. 面向空间光学的短纤维复合材料

2. 高性能碳化物陶瓷材料

3. 碳化物陶瓷薄膜材料

主要科研成果

近年承担主要项目:

1. 国家重点研发计划项目子课题 “低面密度空间碳化硅光机构件增材制造工程化技术研究”,2021.12-2025.11

2. 中国科学院重点部署项目课题“新一代超轻型复合材料光学部件关键制备技术”,2018.01-2020.12

3. KJW前沿创新项目“大型碳化硅复合材料构件快速智能制造技术”,2018.11-2019.10

4. 上海市自然科学基金项目“原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料研究”,2016.07-2019.06

5. PT项目“碳化硅复合材料光学部件结构设计、制备及工程应用”,2014.12-2017.12

近年代表性论著:

1. Xishi Wu, Yunzhou Zhu*, Qing Huang, Zhengren Huang*, Facile synthesis of magnetic hierarchical porous carbon and the adsorption properties. Mater. Character, 2022, 193: 112273-112280.

2. Xishi Wu, Qing Huang, Yunzhou Zhu*, Zhengren Huang*, Pore structure control of porous carbon obtained from phenol formaldehyde resin and ethylene glycol: the effect of H3BO3 on the pore structure. RSC Adv, 2019, 9: 4203-4209.

3. Xishi Wu, Yunzhou Zhu*, Bingbing Pei, Ping Cai, Zhengren Huang*, Pore structure control of porous carbon via effect of boric acid and metal iron salt. Mater. Let, 2019, 255: 126539-126542.

4. Xishi Wu, Ronghua Su, Bingbing Pei, Yunzhou Zhu*, Zhengren Huang*, Effect of FeCl2 on the pore structure of porous carbon obtained from phenol formaldehyde resin and ethylene glycol. Mater. Let, 2018, 215: 50-52.

5. Xishi Wu, Ronghua Su, Xiangwei Meng, Bingbing Pei, Yunzhou Zhu*, Yan Liu, Zhengren Huang*, Effect of random chopped short carbon fibers on microstructure and mechanical properties of joints for Cf/SiC composites by reaction bonding process. J. Adh. Sci. Tech, 2019, 33: 1261–1274.

近年授权专利:

1. 一种制备反应烧结碳化硅含碳多孔素坯的水基流延方法(专利号:ZL201510649835.4,授权日期:2021年03月16日)

2. 一种C/SiC复合材料表面激光熔覆强结合玻璃膜层的制备方法(专利号:ZL201810995969.5,授权日期:2021年01月12日)

3. 一种Cf/SiC复合材料表面光学涂层及其制备方法(专利号:ZL201611200717.6,授权日期:2018年12月07日)

4. 非氧化物纤维增强陶瓷基复合材料的纤维表面原位制备(C-SiC)n或SiC涂层的方法(专利号:ZL201510996453.9,授权日期:2015年12月25日)

5. 原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法(专利号:ZL201510996453.9,授权日期:2015年12月25日)