史迅 研究员
学历:博士研究生
电话:021-52412803
电子邮件:xshi@mail.sic.ac.cn
通讯地址:上海市嘉定区和硕路585号
邮政编码:201899
个人主页:无
个人简历:
史迅,现任中国科学院上海硅酸盐研究所所务委员、高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室前沿部主任。2016年8月获国家杰出青年科学基金、2012年8月获基金委优秀青年科学基金、2018年2月入选国家高层次领军人才、2016年入选上海市学术带头人、2010年4月入选中国科学院杰出人才计划。率先发现Ag2S、InSe等无机半导体塑性变形特性,开辟无机塑性非金属材料研究新方向,实现无机非金属材料塑性变形与电学特性的协同调控,研制成功高性能全无机柔性热电材料和全柔性热电器件,器件能量密度为目前报道柔性器件的最高值。发现Cu2X(X=S,Se,Te)离子导体中铜离子的长程迁移产生类似液态的“声子横波阻尼效应”可使定容热容低于固体材料的杜隆-珀替极限值,提出利用离子导体的类液态亚点阵实现电声解耦、优化热电性能的研究思想,引领“声子液体”新概念热电材料研究。现担任中国材料研究学会理事、热电材料及应用分会副主任、上海市硅酸盐学会常务理事等职。
主要研究方向:
1.塑性无机非金属材料
2.热电材料与器件
3.离子输运
主要科研成果
近年承担主要项目(限5项):
1. 科技部重点研发项目“基于材料基因工程的热电材料高通量研究与应用示范”,2018.06-2022.06.
2. 国家自然科学基金委杰出青年科学基金项目:“无机热电能量转换材料”,2017.01-2021.12.
3. 国家自然科学基金委重点项目:“室温非脆性无机半导体的结构设计与电热输运性能调控”,2023.01-2027.12.
4. 国家自然科学基金委中瑞国际合作项目:“高性能柔性热电能量转换材料与器件”,2019.01-2021.12.
5. 上海市基础研究特区项目:“原子尺寸失配诱导的有序-无序新物相构筑与性能调控”,2022.01-2026.02.
近年代表性论著(限5项):
1. Yang, Qingyu; Yang, Shiqi; Qiu, Pengfei*; Peng, Liming; Wei, Tianran; Zhang, Zhen; Shi, Xun*; Chen, Lidong*; “Flexible thermoelectrics based on ductile semiconductors”, SCIENCE, 377 (6608), 854-858 (2022), DOI: 10.1126/science.abq0682.
2. Gao, Zhiqiang; Wei, Tianran*; Deng, Tingting; Qiu, Pengfei; Xu, Wei; Wang, Yuecun; Chen, Lidong; Shi, Xun*; “High-throughput screening of 2D van der Waals crystals with plastic deformability”, NATURE COMMUNICATIONS, 13 (1), 7491, (2022), DOI: 10.1038/s41467-022-35229-x.
3. Shi, Xun*; He, Jian; “Thermopower and harvesting heat”, SCIENCE, 371 (6527), 343-344 (2021), DOI: 10.1126/science.abf3342.
4. Wei, Tianran; Jin, Min; Wang, Yuecun; Chen, Hongyi; Gao, Zhiqiang; Zhao, Kunpeng; Qiu, Pengfei; Shan, Zhiwei; Jiang, Jun; Li, Rongbin; Chen, Lidong*; He, Jian*; Shi, Xun*; “Exceptional plasticity in the bulk single-crystalline van der Waals semiconductor InSe”, SCIENCE, 369 (6503), 542-545 (2020), DOI: 10.1126/science.aba9778.
5. Shi, Xun*; Chen, Hongyi; Hao, Feng; Liu, Ruiheng; Wang, Tuo; Qiu, Pengfei; Burkhardt, Ulrich; Grin, Yuri*; Chen, Lidong*; “Room-temperature ductile inorganic semiconductor”, NATURE MATERIALS, 17 (5), 421-426 (2018), DOI: 10.1038/s41563-018-0047-z.
近年授权专利(限5项):
1. 一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用,ZL202010259005.1,2022年7月12日
2. 一种硫化银基无机热电材料及其制备方法和应用,ZL201811435457X,2022年3月8日。
3. 一种p型高性能Cu-Sn-S类金刚石结构热电材料及其制备方法,ZL201911328324.7,2022年12月13日
4. Plastic semiconductor material and preparation method thereof, US 11,136,692 B2,2021年10月5号
5. 一种塑性半导体材料以及其制备方法,ZL201810117079.4,2021年1月12日