上海硅酸盐所  |  中国科学院  
首 页
 
仪器设备种类
全自动四站比表面积及孔径分析仪
全自动压汞仪
zeta电位/粒度分析仪
电化学综合工作站
离心/重力沉降粒度仪
TM-3000台式扫描电镜
多功能烧结炉
智能烧结炉
超高温炉
结构功能一体化多层陶瓷复合材料制备装置
高真空气压烧结炉设备
颗粒增强化学气相沉积系统
高性能计算服务器扩充(开放共享型)
TEM低温样品杆、电和力性能原位测试样品杆
高真空温控型纳米热电多参量原位表征系统
虚拟仿真三维可视化软件及X射线源
化学气相沉积炉真空系统
连续式氮化铝粉体合成炉
复合型激光加热浮区晶体生长炉
高通量材料合成/检测系统
连续氧化铝纤维制备设备
固态输运高温气相沉积系统
活塞-圆筒高温超高压装置
织构化新材料合成用强磁场设备
高分辨活体动物X射线断层扫描系统
多功能生物分子成像仪
多功能酶标仪
流式细胞仪
小型高性能计算服务器
建模及有限元分析软件
低能离子减薄仪
氩离子截面抛光仪
超高温强度试验机
卷对卷磁控溅射镀膜设备
热蒸发、磁控溅射及靶材制备系统
多功能复合表面改性系统
电学性能测试综合装置
火焰环境高温拉伸/蠕变测试仪
MCR 301流变仪
氧氮氢分析仪
同步热分析仪
台式X射线衍射仪
高灵敏度Zeta电位及粒度分析仪
傅里叶变换红外光谱仪
荧光光谱仪
组合式荧光光谱测量系统
光色电性能测试系统
全自动真密度分析仪
先进陶瓷超临界/亚临界水腐蚀系统设备
CM速温炉
场发射环境扫描电子显微镜
复合型激光加热浮区晶体生长炉 当前位置:首页> 仪器装备>仪器设备种类>复合型激光加热浮区晶体生长炉

  功能简介: 

  复合型激光加热浮区晶体生长炉是经激光器加热元件与传统浮区炉复合而成的新型浮区晶体生长炉。具有多方向激光或灯光加热,有利于获得均匀的加热温度。根据需求可以更换加热光源。利用激光加热可以高精度地控制熔化区域,获得灯光加热无法获得的高质量单晶。利用灯光加热,有利于生长对半导体激光光波的吸收率低的氧化物晶体。利用近10个大气压的保护气氛,有利于控制晶体生长过程的蒸发,避免晶体成分偏差。适用于高质量无机化合物单晶的生长。是目前国际上为数不多,在国内自行研制的第一台复合型激光区域晶体生长装置。 

    

  仪器型号与工作条件: 

  设备厂商:中国科学院上海硅酸盐研究所,型号:待定。 

  加热方式(1): 4方向卤素灯聚焦加热(1000WX4 

  方式(2): 7方向半导体激光加热(130WX7 

  最高加热温度: 2200 

  晶体生长速度: 0.01-300mm/hr 

  晶体生长时试样棒熔化最大尺寸:直径6mm 

  晶体生长时试样棒移动最大长度:120mm 

  晶体生长气氛:空气、氧气及保护气氛氮气加压(0.95 MPa 

  最高气压:(0.95 MPa 

  真空度:(5×10-5Torr 

    

  存放地点与联系人: 

  设备安放地址:长宁园区45F室。 

  联系人:汪超越,021-52411708 

    

  仪器图片: 

   

版权所有 © 中国科学院上海硅酸盐研究所  沪ICP备05005480号-1    沪公网安备 31010502006565号
地址:上海市长宁区定西路1295号 邮政编码:200050