一、 项目简介： 

　　CVD制备方法具有工艺简单，所得石墨烯质量高，可实现大面积生长，且较易转移到各种基体上等优点。但在制备石墨烯薄膜时有成本高，不适合量产等缺点，并且在转移过程中薄膜很容易被破坏。 

　　二、技术需求： 

　　1.研发为有效的石墨烯还原与机构修补技术，提高石墨烯导电薄膜的导电性能； （光电性能指标：薄膜电阻：< 150 Ohm/□ ，透光率：> 88 %，雾度：< 0.5 %） 

　　2.研发与研究大尺寸的石墨烯薄膜制备技术； （尺寸：30 cm × 21 cm（12英寸））  

　　3. 研发合适的掺杂技术，提供更多的石墨烯薄膜与基层之间的连接途径以降低片连接电阻。应给出片连接电阻的具体指标。希望能与985、211类高校和中科院院所进行产学研合作，尤其在产业化方面拥有丰富经验的专家和团队。 

　　三、所属地区：陕西省西安市 

　　四、联系人：项浩灿 

　　五、联系电话：0577-61555005