应用领域：可用于高亮度LED、电力电子以及先进雷达。 

　　技术特点：采用双室结构碳化硅晶体生长装置，与蓝宝石相比，碳化硅单晶更有利于制作对散热要求高、面积较大的大功率LED器件。 

　　性能指标：研发了半绝缘和导电型4H-SiC、6H-SiC晶体，建成了年产2万片3～4英寸SiC中试生产线。 

　　所处阶段：已建成面积约3500m2全套SiC“晶体生长—晶体加工—检测表征—清洗封装”中试生产线，造就了一支高水平的碳化硅研发团队，成为我国拥有自主知识产权的SiC晶体材料重要研发基地。