殷之文先生专利
序号 |
申请号 |
公开(公告)号 |
公开(公告)日 |
发明名称 |
申请(专利权)人 |
发明人 |
国际分类号(IPC/洛迦诺) |
1 | CN200510029744 | CN1306075C | 2007-03-21 | 阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
严东生;殷之文;廖晶莹;沈炳孚;童乃志;邵培发;袁晖;谢建军;叶崇志;周乐萍;李培俊;吴泓澍;杨培志;倪海洪;刘光煜; |
C30B11/00;C30B29/32 |
2 | CN200510029744 | CN1763271A | 2006-04-26 | 阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
严东生;殷之文;廖晶莹;沈炳孚;童乃志;邵培发;袁晖;谢建军;叶崇志;周乐萍;李培俊;吴泓澍;杨培志;倪海洪;刘光煜; |
C30B11/00;C30B29/32 |
3 | CN02145449 | CN1196817C | 2005-04-13 | 坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅-钛酸铅单晶 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
郭益平;罗豪甦;徐海清;贺天厚;殷之文; |
C30B15/00;C30B29/22 |
4 | CN03150697 | CN1493546A | 2004-05-05 | 一种定向凝固法制备铌镁酸铅-钛酸铅压电陶瓷技术 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
王评初;李东林;孙士文;潘晓明;朱丽慧;殷之文; |
C04B35/499;H01B3/12; C04B35/64;H01L41/187; C04B35/472;C04B35/622 |
5 | CN02145449 | CN1410603A | 2003-04-16 | 坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅-钛酸铅单晶 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
郭益平;罗豪甦;徐海清;贺天厚;殷之文; |
C30B15/00;C30B29/22 |
6 | CN99113472 | CN1080777C | 2002-03-13 | 弛豫铁电单晶铌镁酸铅的制备方法 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
罗豪甦;殷之文;沈关顺;徐海清;齐振一;许桂生;王评初;乐秀宏;刘克;李金龙;仲维卓; |
C30B15/00;C30B29/22 |
7 | CN96116387 | CN1060542C | 2001-01-10 | 非真空下降法多坩埚生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
沈定中;殷之文;邓群;马铭华; |
C30B11/00;C30B29/12 |
8 | CN94112210 | CN1046004C | 1999-10-27 | 下降法生长大尺寸碘化铯(CsI)晶体新技术 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
沈定中;殷之文;袁湘龙;张黎星;李培俊;邓群; |
C30B15/00;C30B29/12 |
9 | CN94112080 | CN1046006C | 1999-10-27 | 220毫米长的大尺寸氟化铈晶体的生长技术 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
胡关钦;殷之文;徐力;古佩新;赵元龙;江金娥; |
C30B29/12;C30B11/02 |
10 | CN99113472 | CN1227286A | 1999-09-01 | 弛豫铁电单晶铌镁酸铅的制备方法 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
罗豪甦;殷之文;沈关顺;徐海清;齐振一;许桂生;王评初;乐秀宏;刘克;李金龙;仲维卓; |
C30B15/00;C30B29/22 |
11 | CN96116387 | CN1199105A | 1998-11-18 | 非真空下降法生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
沈定中;殷之文;邓群;马铭华; |
C30B11/00;C30B29/12 |
12 | CN94112210 | CN1113970A | 1995-12-27 | 下降法生长大尺寸碘化铯(CSI)晶体新技术 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
沈定中;殷之文;袁湘龙;张黎星;李培俊;邓群; |
C30B15/00;C30B29/12 |
13 | CN94112080 | CN1109112A | 1995-09-27 | 大尺寸氟化铈晶体的生长技术 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
胡关钦;殷之文;徐力;古佩新;赵元龙;江金娥; |
C30B29/12;C30B11/02 |
14 | CN93112391 | CN1093419A | 1994-10-12 | 生长大尺寸、高质量氟化铅(PbF2)晶体的新技术 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
沈定中;殷之文;袁湘龙;洪虹;张黎星;李培俊; |
C30B11/02;C30B29/12 |
15 | CN92108647 | CN1088147A | 1994-06-22 | 液相包裹热反应电子陶瓷微粉制备方法 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
李承恩;李焕尧;赵梅瑜;殷之文; |
B28B1/24;C04B35/49;C04B35/00 |
16 | CN90102828 | CN1023240C | 1993-12-22 | 高抗辐照氟化钡晶体的生长技术 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
沈定中;殷之文;苏伟堂;潘志雷; |
C30B29/12;C30B11/02 |
17 | CN88105506 | CN88105506C | 1992-09-23 | 高临界温度(Tc)氧化物超导粉体化学制备方法 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
庄豪仁;李承恩;赵梅瑜;殷之文; |
H01B12/00;H01B12/02 |
18 | CN90102951 | CN1060687A | 1992-04-29 | 提高锗酸铋(BGO)晶体抗辐照损伤技术 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
谢幼玉;殷之文;魏宗英;沈定中; |
C30B29/32 |
19 | CN88105506 | CN1015500B | 1992-02-12 | 高临界温度(Tc)氧化物超导粉体化学制备方法 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
庄豪仁;李承恩;赵梅瑜;殷之文; |
H01B12/00;H01B12/02 |
20 | CN90102828 | CN1055208A | 1991-10-09 | 高抗辐照氟化钡BaF2闪烁晶体的生长技术 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
沈定中;殷之文;苏伟堂;潘志雷; |
C30B29/14;C30B15/00 |
21 | CN88105506 | CN1036858A | 1989-11-01 | 高临界温度(Tc)氧化物超导粉体化学制备方法 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; |
庄豪仁;李承恩;赵梅瑜;殷之文; |
H01B12/02 |