殷之文先生专利

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国际分类号(IPC/洛迦诺)

1 CN200510029744 CN1306075C 2007-03-21 阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法 中国科学院上海硅酸盐研究所;

严东生;殷之文;廖晶莹;沈炳孚;童乃志;邵培发;袁晖;谢建军;叶崇志;周乐萍;李培俊;吴泓澍;杨培志;倪海洪;刘光煜;

C30B11/00;C30B29/32

2 CN200510029744 CN1763271A 2006-04-26 阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法 中国科学院上海硅酸盐研究所;

严东生;殷之文;廖晶莹;沈炳孚;童乃志;邵培发;袁晖;谢建军;叶崇志;周乐萍;李培俊;吴泓澍;杨培志;倪海洪;刘光煜;

C30B11/00;C30B29/32

3 CN02145449 CN1196817C 2005-04-13 坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅-钛酸铅单晶 中国科学院上海硅酸盐研究所;

郭益平;罗豪甦;徐海清;贺天厚;殷之文;

C30B15/00;C30B29/22

4 CN03150697 CN1493546A 2004-05-05 一种定向凝固法制备铌镁酸铅-钛酸铅压电陶瓷技术 中国科学院上海硅酸盐研究所;

王评初;李东林;孙士文;潘晓明;朱丽慧;殷之文;

C04B35/499;H01B3/12;

C04B35/64;H01L41/187;

C04B35/472;C04B35/622

5 CN02145449 CN1410603A 2003-04-16 坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅-钛酸铅单晶 中国科学院上海硅酸盐研究所;

郭益平;罗豪甦;徐海清;贺天厚;殷之文;

C30B15/00;C30B29/22

6 CN99113472 CN1080777C 2002-03-13 弛豫铁电单晶铌镁酸铅的制备方法 中国科学院上海硅酸盐研究所;

罗豪甦;殷之文;沈关顺;徐海清;齐振一;许桂生;王评初;乐秀宏;刘克;李金龙;仲维卓;

C30B15/00;C30B29/22

7 CN96116387 CN1060542C 2001-01-10 非真空下降法多坩埚生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术 中国科学院上海硅酸盐研究所;

沈定中;殷之文;邓群;马铭华;

C30B11/00;C30B29/12

8 CN94112210 CN1046004C 1999-10-27 下降法生长大尺寸碘化铯(CsI)晶体新技术 中国科学院上海硅酸盐研究所;

沈定中;殷之文;袁湘龙;张黎星;李培俊;邓群;

C30B15/00;C30B29/12

9 CN94112080 CN1046006C 1999-10-27 220毫米长的大尺寸氟化铈晶体的生长技术 中国科学院上海硅酸盐研究所;

胡关钦;殷之文;徐力;古佩新;赵元龙;江金娥;

C30B29/12;C30B11/02

10 CN99113472 CN1227286A 1999-09-01 弛豫铁电单晶铌镁酸铅的制备方法 中国科学院上海硅酸盐研究所;

罗豪甦;殷之文;沈关顺;徐海清;齐振一;许桂生;王评初;乐秀宏;刘克;李金龙;仲维卓;

C30B15/00;C30B29/22

11 CN96116387 CN1199105A 1998-11-18 非真空下降法生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术 中国科学院上海硅酸盐研究所;

沈定中;殷之文;邓群;马铭华;

C30B11/00;C30B29/12

12 CN94112210 CN1113970A 1995-12-27 下降法生长大尺寸碘化铯(CSI)晶体新技术 中国科学院上海硅酸盐研究所;

沈定中;殷之文;袁湘龙;张黎星;李培俊;邓群;

C30B15/00;C30B29/12

13 CN94112080 CN1109112A 1995-09-27 大尺寸氟化铈晶体的生长技术 中国科学院上海硅酸盐研究所;

胡关钦;殷之文;徐力;古佩新;赵元龙;江金娥;

C30B29/12;C30B11/02

14 CN93112391 CN1093419A 1994-10-12 生长大尺寸、高质量氟化铅(PbF2)晶体的新技术 中国科学院上海硅酸盐研究所;

沈定中;殷之文;袁湘龙;洪虹;张黎星;李培俊;

C30B11/02;C30B29/12

15 CN92108647 CN1088147A 1994-06-22 液相包裹热反应电子陶瓷微粉制备方法 中国科学院上海硅酸盐研究所;

李承恩;李焕尧;赵梅瑜;殷之文;

B28B1/24;C04B35/49;C04B35/00

16 CN90102828 CN1023240C 1993-12-22 高抗辐照氟化钡晶体的生长技术 中国科学院上海硅酸盐研究所;

沈定中;殷之文;苏伟堂;潘志雷;

C30B29/12;C30B11/02

17 CN88105506 CN88105506C 1992-09-23 高临界温度(Tc)氧化物超导粉体化学制备方法 中国科学院上海硅酸盐研究所;

庄豪仁;李承恩;赵梅瑜;殷之文;

H01B12/00;H01B12/02

18 CN90102951 CN1060687A 1992-04-29 提高锗酸铋(BGO)晶体抗辐照损伤技术 中国科学院上海硅酸盐研究所;

谢幼玉;殷之文;魏宗英;沈定中;

C30B29/32
19 CN88105506 CN1015500B 1992-02-12 高临界温度(Tc)氧化物超导粉体化学制备方法 中国科学院上海硅酸盐研究所;

庄豪仁;李承恩;赵梅瑜;殷之文;

H01B12/00;H01B12/02

20 CN90102828 CN1055208A 1991-10-09 高抗辐照氟化钡BaF2闪烁晶体的生长技术 中国科学院上海硅酸盐研究所;

沈定中;殷之文;苏伟堂;潘志雷;

C30B29/14;C30B15/00

21 CN88105506 CN1036858A 1989-11-01 高临界温度(Tc)氧化物超导粉体化学制备方法 中国科学院上海硅酸盐研究所;

庄豪仁;李承恩;赵梅瑜;殷之文;

H01B12/02