已经过去的2008年，在世界科技创新史上留下了新的篇章。在美国《时代》杂志“2008年50项最佳发明”、美国《连线》杂志“2008年10大科技突破”和中国《科技日报》“2008国际十大科技新闻”评选中，来自惠普实验室（HP Labs）的最新研究成果“智能存储系统－忆阻器”均名列前茅，并被国内外科学家评价为“这项重大发现将对电子科学的发展历程产生重大影响”。

　　忆阻器的发现充满科技传奇色彩。现在的中学物理教科书上，已经列出了三种基本的被动电路元件：电阻器、电容器和电感器。1971年，加州大学伯克利分校华裔科学家蔡少堂发表了题为《忆阻器：下落不明的电路元件》的论文，预测自然界存在第四种电路元件，并称之为忆阻器（memristor）。简单地说，忆阻器是一种有天然记忆能力的非线性电阻，通过控制电流变化可改变电阻值，即使电力中断记忆也不会消失。如果把高阻值定义为“1”，低阻值定义为“0”，这种电阻就可以实现存储数据的功能。

　　

　　37年过去了，2008年5月1日，由世界著名科学家、惠普实验室高级研究院斯坦?威廉姆斯领导的研究小组，在《自然》杂志以《寻获下落不明的忆阻器》为标题发表论文，不仅首次证实忆阻器确实存在，而且成功设计出世界首个能工作的忆阻器原型。（如图所示）

　　忆阻器的发现足以媲美100年前发明的三极管，它的任何一项产业化应用都可能带来新一轮产业革命。忆阻器的最简单的应用是非易失性阻抗存储器（RRAM），也就是在断电后仍然能够保存数据的存储器。今天的电脑广泛使用动态随机存储器（DRAM）作为内存，这种技术最大问题是，当用户关闭PC电源时，内存就忘记了那里曾经有过什么，下次打开计算机电源，用户必须坐等所有需要运行的数据全部从硬盘重新装入内存，这个过程有时长达几十分钟。有了RRAM，PC会在开机的一瞬间回到关闭前的状态。一旦RRAM得到应用，手机可以使用数周或更久而不需充电，笔记本电脑可以再电池耗尽之后很久仍记忆上次使用的信息。数码相机、MP3和掌上电子设备也会带来全新功能。

　　忆阻器的最有趣特征之一，是它可以记忆流经它的电荷数量。而且这种记忆不是1和0这么简单，它可以包括从1到0之间所有的“灰色”状态，这类似于人类大脑搜集、理解一系列事情的模式。尽管忆阻器诞生不过几个月的时间，但已引起多方关注。日前，惠普实验室和波士顿大学、美国国防高级研究计划局达成了协议，共同构建世界上第一个基于忆阻器的人工神经网络。据悉惠普实验室将在2009年推出基于忆阻器交叉开关阵列的RRAM原型芯片，这可能意味着“忆阻器的黄金时代即将到来”。