重要奖项

非真空下降法生长大尺寸高质量CsI(T1)晶体，国家发明奖三等奖，1998.

发布时间：2018-02-06

　　非真空下降法生长大尺寸高质量CsI(T1)晶体，国家发明奖三等奖，1998.

  • 版权所有 中国科学院上海硅酸盐研究所 沪ICP备05005480号-1     沪公网安备31010502006565号
  • 长宁园区地址：上海市长宁区定西路1295号 电话：86-21-52412990 传真：86-21-52413903 邮编：200050
  • 嘉定园区地址：上海市嘉定区和硕路585号 电话：86-21-69906002 传真：86-21-69906700 邮编：201899