检测项目
辉光放电质谱 Glow Discharge Mass Spectrumeter Analysis
1. 射频辉光放电质谱仪
仪器型号:Autoconcept GD 90 | |
生产厂家:英国MSI | |
负责人:曾旺 | |
联系地址:嘉定区和硕路585号E-112 | |
联系电话:69163596 | |
手机号码:18800297325 | |
邮件地址:zengwang@mail.sic.ac.cn | |
主要技术指标 |
1.可测元素范围:元素周期表中除氢(H)外的所有元素,包括常用分析方法难以测定的C,N,O,P,S等轻元素 2.最低检出限:优于100ppt 3.分辨率:优于4000 |
仪器主要用途 |
适用于高纯金属、溅射靶材、稀贵金属、超级合金等材料的痕量杂质元素的半定量和定量分析;可直接分析半导体材料、非导体材料等;可对复合材料、镀层、薄膜等进行逐层分析(溅射速率约为:0.38μm/min)等 |
2. 射频辉光放电质谱仪
仪器型号: GD 90 Trace | |
生产厂家:英国MSI生产厂家:英国MSI | |
生产厂家:英国MSI负责人:刘安琦 | |
生产厂家:英国MSI联系地址:嘉定区和硕路585号E-111 | |
生产厂家:英国MSI联系电话:021-69163595 | |
生产厂家:英国MSI手机号码:13462125313 | |
生产厂家:英国MSI邮件地址:liuanqi@mail.sic.ac.cn | |
主要技术指标 |
1.可测元素范围:元素周期表中除氢(H)外的所有元素,包括常用分析方法难以测定的C,N,O,P,S等轻元素 2.最低检出限:优于100ppt 3.分辨率:优于4000 |
仪器主要用途 |
适用于高纯金属、溅射靶材、超级合金、半导体材料、非导体材料等的痕量元素的半定量和定量分析;可对复合材料、镀层、薄膜等进行逐层分析(深度分辨率优于0.50 μm) |
3. 辉光放电光谱仪
仪器型号:GD-Profiler 2 | |
生产厂家:HORIBA | |
负责人:曾旺 | |
联系地址:嘉定区和硕路585号E-114 | |
联系电话:69163596 | |
手机号码:18800297325 | |
邮件地址:zengwang@mail.sic.ac.cn | |
主要技术指标 |
1.可测元素范围:从H元素到U元素(包括C、H、O、N等气体元素); 2.溅射速率:1-5 m/min; 3.深度分辨率:1 nm; 4.采样范围:2/4 mm 3.分辨率:优于4000 |
仪器主要用途 |
适用于探究镀层/薄膜/涂层样品(包括导体、半导体、非导体)中元素的含量以及元素随深度的分布情况 |
4. 辉光放电质谱仪
仪器型号:VG9000 | |
生产厂家:英国Thermo Elemental | |
负责人:曾旺 | |
联系地址:嘉定区和硕路585号E-111 | |
联系电话:69163596 | |
手机号码:18800297325 | |
邮件地址:zengwang@mail.sic.ac.cn | |
主要技术指标 |
1.可测元素范围:元素周期表中除氢(H)外的所有元素,包括常用分析方法难以测定的C,N,O,P,S等轻元素 2.检测浓度范围:超低检测限,大多数元素的检测限为0.1~0.001 g G-1 3.分析速度:快速,一次可给出多量、少量、痕量以及超痕量多元素分析结果 4.激发源:最大功率≥30W;最大激发电压≥50kV,最大激发电流≥1mA |
仪器主要用途 |
适用于高纯金属、溅射靶材、稀贵金属、超级合金等材料的痕量杂质的半定量和定量分析,同时可分析C、N、O等轻元素;半导体材料包括硅片、CdTe、GaAs及其他多种高纯电子材料、无机非金属材料的杂质分析;薄层分析,深度分布剖面分析等 |