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SEMINAR
The State Key Lab of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure,
Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences
中 国 科 学 院 上 海 硅 酸 盐 研 究 所 高 性 能 陶 瓷 和 超 微 结 构 国 家 重 点 实 验 室
忆阻器计算技术
尚大山 研究员
中国科学院微电子研究所
时间：2023年11月27日（星期一）上午 10:00
地点：嘉定园区F楼5（1）会议室
欢迎广大科研人员和研究生参与讨论！
联系人：陈立东 （69163505）
报告摘要：
忆阻器是指器件的电阻在外电场作用下可被调节至多个电阻状态，并且对调节过程具有一定记忆能力的器件，既可以用于非易失性信息存储，又可以实现计算功能。通过制备大规模忆阻器阵列并开发相应的外围电路，忆阻器可用于执行具有存算一体范式的类脑计算，并在计算能效和面积上表现出优于传统冯？诺依曼架构系统的优势，从底层器件层面为研制高能效计算系统提供了新的硬件途径。本工作将介绍我们近5年来在忆阻器器件、算法和芯片等三个方面开展的系统研究。这些结果有望在人工智能芯片和智能传感等领域发挥重要的作用，解决未来信息化、智能化社会所面临的海量非结构化数据处理问题。
主讲人简介:
尚大山，中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师。2007年博士毕业于中国科学院上海硅酸盐研究所，2007年8月至2009年6月任中国科学院物理研究所博士后; 2009年7月至2018年10月任中国科学院物理研究所副研究员，2011年至2014年先后在韩国国立首尔大学、德国亚琛工业大学和英国剑桥大学任博士后、洪堡学者和访问学者。多年来致力于忆阻器及其在信息存储和类脑计算中的应用，开展了面向物联网、边缘计算等领域的低能耗、可扩展的仿生信息处理系统应用的类脑计算器件、算法和芯片研究。先后主持或参与国家重点研发计划、科技创新2030、中科院战略先导科技专项(B类)和国家自然科学基金等项目，已在Nat. Mach, Intell.、Nat. Commun.、Adv. Mater.、IEEE Electro. Dev. Lett.、IEEE Trans. Circuits and Syst. II: Express Briefs等国际期刊以及VLSI、IEDM等国际会议发表论文140余篇。
