12月14日，中国科学院上海硅酸盐研究所人工晶体研究中心、中试基地、中国科学院透明光功能无机材料重点实验室联合开展了第二十期人工晶体学术讲坛，浙江大学杨德仁院士、西北工业大学介万奇教授应邀作了学术报告。上海硅酸盐所副所长杨建华、曹红梅，高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室主任陈立东研究员出席了会议。来自所内、上海技物所及相关企业界人士等近百名科研人员与研究生参加了报告会。报告会由中国科学院原副院长、人工晶体研究中心学术委员会主任施尔畏研究员主持。 

　　施尔畏研究员首先介绍了两位报告人的学术背景、科研经历、所取得的重要科研成果和学术贡献，以及浙江大学在硅单晶的科学成就。他指出单晶作为一种基础材料，人类历史的进步离不开单晶的发展，期望年轻科研人员能从本次报告中吸收更多的“营养”，得到更多的启迪，共同推动人工晶体科学和技术的发展。 

　　杨德仁院士作了题为“微电子硅材料生长和缺陷控制”的报告，他首先介绍了浙江大学硅材料国家重点实验室的历史、学科方向以及在硅材料领域的研究方向。全面介绍了半导体硅材料的研究工作，包括超大规模集成电路用硅材料、太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料和纳米硅半导体材料。详细介绍了围绕着解决微电子硅材料缺陷的关键问题，他带领的团队在“杂质工程”方面所开展的研究工作和取得的原创性成果。通过硅单晶中掺氮实现了对硅单晶中缺陷的调控并对其调控机理进行了研究，成功引导了国际上相关方面的研究，并得到了国内外硅单晶主要生产商的广泛应用，取得了巨大的社会和经济效益。此外，还在硅单晶外延片中掺入微量锗，成功实现了硅外延片的缺陷控制和规模化生产。 

　　介万奇教授作了题为“II-VI族化合物半导体的单晶生长研究”的报告。他介绍了II-VI族化合物半导体的应用领域、生长方法和技术难点，并以单晶的生长研究为主旨，详细阐述了CdZnTe 的MVB（Modified Bridgeman）法、THM（Travelling Heater Method）法生长研究以及ZnTe的TGSG（Temperature gradient solvent growth）法生长研究。着重介绍了MVB法生长CdZnTe晶体的关键参数控制以及晶体缺陷的研究包括偏析、位错、栾晶、沉淀相、点缺陷等。通过晶体生长数值模拟与实际实验相结合的方式，实现了温场的优化，获得高质量的ZnTe系列晶体，并在太赫兹领域得到应用。 

　　报告会中，与会人员与报告人就感兴趣的问题展开了热烈的交流与讨论。 

施尔畏研究员主持报告会

杨德仁院士作报告

介万奇教授作报告

报告会现场