中国科学院上海硅酸盐研究所葛增伟带领的课题组发明的中国专利“一种高纯二氧化碲单晶及制备方法”（中国专利号：ZL200910048849.5），经多轮评审，获得第十七届中国专利优秀奖。 

　　该项专利技术利用晶体生长过程生长基元从无序变为有序进而提高纯度的原理，首创两次生长制备方法，获得了U、Th等杂质含量达到10^-14g/g的高纯二氧化碲单晶，推动了中微子探测项目的发展。同时，该二氧化碲单晶优越的声光性能和宽波段透过性能，满足了探月工程的红外成像要求，使该晶体在国际上首次成功应用于月球探测。 

　　该项中国专利通过国际PCT申请途径，先后申请美国、欧洲专利，并取得专利授权（欧洲专利号：EP2415912，美国专利号：US8480996）。 

　　中国专利优秀奖证书