中国科学院上海硅酸盐研究所测试中心新引进的射频辉光放电光谱（Horiba  GD-Profiler 2）目前已安装调试完成并开始试运行。  

　　射频辉光放电光谱（rf-GD-OES）能够快速、灵敏地直接分析薄膜/涂层样品（包括导体、半导体、非导体）中元素的含量以及元素随深度的分布情况。可为材料提供由表及里的元素组成及分布信息，为材料元素的扩散与偏析、材料性能探究等提供关键的科学依据。可解决问题如下：（1）样品中存在什么元素；（2）样品在深度上是否均匀；（3）样品是否有镀层或是否应用了表面处理；（4）镀层的厚度；（5）样品各层及交界面存在的元素、污染与扩散行为等。  

　　仪器主要技术参数：溅射速率：1-5 m/min；深度分辨率：≥1 nm；采样范围： 2/4 mm；可测元素包括C、H、O、N等气体元素、碱金属、过渡金属、稀土元素等。  

　　欢迎广大科研人员使用。