过渡金属掺杂钠基卤素闪烁晶体及其制备方法和应用--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

过渡金属掺杂钠基卤素闪烁晶体及其制备方法和应用

专利类别:

中国发明

专利（申请）号:

202311317774.2

申请日期:

2023/10/12

第一发明人:

吴云涛

其他发明人:

宋植昊

专利授权日期:

2023/12/26