一种透射电镜原位电场超薄片样品无污染电极的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种透射电镜原位电场超薄片样品无污染电极的制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202111414669.1

申请日期:

2021/11/25

第一发明人:

傅正钱

其他发明人:

胡腾飞，姚鹤良，冯景伟，许钫钫

专利授权日期:

2023/12/8