一种致密偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种致密偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法

专利类别:

美国

专利（申请）号:

US11,572,317B2

申请日期:

第一发明人:

周志勇

其他发明人:

李玉臣，董显林

专利授权日期:

2023/2/7