一种移动熔剂浮区法生长钆镓石榴石晶体的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种移动熔剂浮区法生长钆镓石榴石晶体的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202110565296.1

申请日期:

2021/5/24

第一发明人:

武彤

其他发明人:

王玲，余建定，石云，许天照，方婧红，王慧，贺欢，倪津崎，汪超越，李勤

专利授权日期:

2023/9/8