一种耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202111056523.4

申请日期:

2021/9/9

第一发明人:

董绍明

其他发明人:

张俊敏，陈小武，张翔宇，杨金山，胡建宝，廖春景，秦浩，薛玉冬

专利授权日期:

2023/8/4