一种低膨胀低介电常数低损耗的低温共烧材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种低膨胀低介电常数低损耗的低温共烧材料及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202210825287.6

申请日期:

2022/7/14

第一发明人:

谢天翼

其他发明人:

王怀志，林慧兴，赵相毓，任海深，何飞，姜少虎，张奕，顾忠元

专利授权日期:

2023/6/6