一种高红外辐射镁掺杂二氧化硅涂层及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种高红外辐射镁掺杂二氧化硅涂层及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202210826488.8

申请日期:

2022/7/14

第一发明人:

高相东

其他发明人:

张星星，赵祥

专利授权日期:

2023/4/7