一种低温烧结致密氧离子导体材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种低温烧结致密氧离子导体材料及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202210528128.X

申请日期:

2022/5/16

第一发明人:

刘志甫

其他发明人:

杨燕，马名生

专利授权日期:

2023/3/14