一种二维纳米硼碳氮半导体材料的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种二维纳米硼碳氮半导体材料的制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201911047283.4

申请日期:

2019/10/30

第一发明人:

杨金山

其他发明人:

闫静怡，董绍明，张翔宇，高乐

专利授权日期:

2023/1/31