一种高储能密度PLZT基反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种高储能密度PLZT基反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201811564673.4

申请日期:

2018/12/20

第一发明人:

闫世光

其他发明人:

曹菲，陈学锋，王根水，董显林

专利授权日期:

20220304