一种c轴择优取向的铌酸铋钙薄膜及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种c轴择优取向的铌酸铋钙薄膜及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202011573487.4

申请日期:

2020/12/24

第一发明人:

董显林

其他发明人:

李宜冠，周志勇

专利授权日期:

20220614