一种高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202110752247.9

申请日期:

2021/7/2

第一发明人:

阚艳梅

其他发明人:

董绍明，陈小武，靳喜海，胡建宝，孙小凡

专利授权日期:

20220906