一种PLZT微米晶种及其制备方法和在诱导陶瓷生长中的应用--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种PLZT微米晶种及其制备方法和在诱导陶瓷生长中的应用

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202110983888.5

申请日期:

2021/8/25

第一发明人:

曾霞

其他发明人:

何夕云，仇萍荪，凌亮，宗兴盛

专利授权日期:

20220906