一种低温烧结氧化钇陶瓷坩埚的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种低温烧结氧化钇陶瓷坩埚的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202110388155.7

申请日期:

2021/4/12

第一发明人:

刘岩

其他发明人:

李浩然，刘学建，黄政仁

专利授权日期:

20221014