一种用于弛豫铁电单晶生长的原料的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种用于弛豫铁电单晶生长的原料的制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202110016870.8

申请日期:

2021/1/7

第一发明人:

刘锦峰

其他发明人:

许桂生，朱秀，陈梅林

专利授权日期:

20220401