一种氧化镁基超高压介质陶瓷及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种氧化镁基超高压介质陶瓷及其制备方法

专利类别:

美国发明

专利（申请）号:

US16/822，950-US11，299，427B2

申请日期:

2020/3/18

第一发明人:

董显林

其他发明人:

张弛，陈莹

专利授权日期:

2022/4/12