晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法

专利类别:

美国发明

专利（申请）号:

US16，962，712-US11，384，451B2

申请日期:

2020/7/16

第一发明人:

高攀

其他发明人:

忻隽，孔海宽，刘学超，郑燕青，施尔畏

专利授权日期:

2022/7/12