一种基于金属离子掺杂二氧化钛间隔层的光稳定钙钛矿太阳电池及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种基于金属离子掺杂二氧化钛间隔层的光稳定钙钛矿太阳电池及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201810716083.2

申请日期:

第一发明人:

杨松旺

其他发明人:

黄绵吉,邵君,赵庆宝,陈宗琦,寿春晖,沈曲,邬荣敏,洪凌,郑光磊,冯立波

专利授权日期:

20200317