一种高导热氮化硅陶瓷基片材料的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种高导热氮化硅陶瓷基片材料的制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201811358422.0

申请日期:

第一发明人:

张景贤

其他发明人:

段于森,刘宁,江东亮

专利授权日期:

20200731