一种非掺杂和Eu2+掺杂碘化锶晶体的定向区熔生长装置和方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种非掺杂和Eu2+掺杂碘化锶晶体的定向区熔生长装置和方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201710703145.1

申请日期:

第一发明人:

杜勇

其他发明人:

陈俊锋,王绍华,孙世允

专利授权日期:

20201211