一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201710213529.5

申请日期:

第一发明人:

高攀

其他发明人:

忻隽,陈辉,刘学超,郑燕青,施尔畏

专利授权日期: