一种硅锗合金基热电元件及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种硅锗合金基热电元件及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201610209315.6

申请日期:

第一发明人:

吴洁华

其他发明人:

夏绪贵,杨小燕,顾明,陈立东

专利授权日期: